こんなお困りごとありませんか?

  • 高生産性を実現したい
  • LEDの高輝度化を実現したい
  • 化合物の高精細加工を実現したい
  • 不揮発性材料をエッチングしたい

ドライエッチャー適用アプリケーション一覧

適用アプリケーション

▲各材料での活用・活用事例

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ドライエッチャー詳細資料

パナソニックのドライエッチング ソリューション

  • LED薄膜の高速加工による高生産性
  • 基板表面を、台形、円錐などの形状にエッチング
  • 複数ウエハーをダイレクト吸着可能なマルチESC電極
  • 複数ウエハーの一括処理(トレイ仕様)
  • 豊富なプロセスライブラリーと加工実績
  • プロセスチャンバー構造と用途に応じた3種類のプラズマ源
     ①高精度(MS-ICP)②高速(BM-ICP)③不揮発性材料(FS-ICP)
  • 2種類のウエハー供給(大気搬送、真空ロードロック方式)
  • 防食処理として、アッシング室、リンス室の拡張が可能

化合物半導体での活用例​

化合物半導体
化合物半導体加工例

LED・光通信デバイスでの活用例

LED向けアプリケーションのご紹介
LED向けアプリケーションのご紹介(仕様・SEM写真)

▲LEDでの活用・加工事例

パワーデバイスでの活用例​

パワーデバイス加工例

高周波通信デバイスでの活用例​

高周波通信デバイス加工例

MEMS・センサーでの活用例

MEMS / センサー

ジャイロ・圧力センサー、プリンタヘッドなどに利用される誘電膜・金属・Siの加工


■圧電MEMS PZT厚膜エッチング (FS-ICPプラズマ源アプリケーション)


PZT厚膜エッチング

W to W安定性

PZT厚膜エッチング W to W安定性グラフ

PZT E/R ≧ 50 nm/min
Uniformity
 In wafer ≦ ±5%
 W to W ≦ ±1%
PR selectivity ≧ 0.7
Pt selectivity ≧ 8


■不揮発性材料エッチング (FS-ICPプラズマ源アプリケーション)


NiFe/NiCoエッチング

NiFe/NiCoエッチング

E/R 〜100nm/min.
Unif. ≦ ±5%
PR Sel. ≧ 0.6~1.5
No fence,  No corrosion

Auエッチング

Auエッチング

E/R ≧400nm/min.
Unif. ≦ ±5%
PR Sel. ≧ ~2.0
No fence

Ptエッチング

Ptエッチング

E/R ≧200nm/min.
Unif. ≦ ±5%
HM Sel. ≧ 10
No fence

Pt/SBT/Ptエッチング

Pt/SBT/Ptエッチング

E/R ≧140nm/min.
Unif. ≦ ±5%
0.4um L/S
No fence

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