干式蚀刻机[解决方案]
您有过这样的困扰吗？
- 希望实现高生产率
- 希望实现LED的高亮度化
- 希望实现化合物的高精细加工
- 希望蚀刻非挥发性材料
在各种设备的实际应用成果
目标设备和产品封装一览表
| 分类 | 单晶片/间歇式干式蚀刻机 | 单晶干式蚀刻机 |
| 机型 |
APX300 |
APX300-S |
|---|---|---|
| 外观 | 装置一体化提高单位面积生产率。 |
最新的APX300平台搭载久经考验、实绩丰富的E620制程腔体。 |
| 优点 |
|
|
| 目标晶圆 | 多个晶圆批量处理（托盘规格） |
解决方案一览表
LED功率半导体应用示例
LED
GaN的低损伤和高速加工帮助实现LED电极形成/元件分离工序的高生产率
通过PSS（Patterned Sapphire Substrate）加工帮助实现LED元件的高亮度化
支持φ2、4、6英寸多张晶圆批量加工处理
▲LED的使用和加工示例
功率半导体（Si、SiC、GaN）
实现满足下一代功率半导体各种加工需求的高精细加工
| ■SiC功率半导体 SiO2掩模刻蚀 |
■SiC功率半导体 SiC沟槽刻蚀 |
|---|---|
| ■Si功率半导体 Si沟槽蚀刻 | ■SiC功率半导体 SiC凹槽刻蚀、Poly-Si全表面回刻蚀刻 |
▲功率半导体的使用和加工示例
相关产品
通信设备&MEMS和传感器应用示例
SAW设备/通信设备
实现（IDT）梳状电极与各种金属的高精细加工
多张晶圆的厚氧化膜与LT/LN加工批量处理实现高生产率
化合物基板的高速和深刻蚀（GaAs通孔、SiC通孔、Si通孔）
GaAs划片切割加工
▲各材料中的使用与使用示例
MEMS/传感器
用于陀螺仪、压力传感器、打印头等的介电薄膜、金属，Si的加工
■压电MEMS PZT厚膜蚀刻（FS-ICP等离子源应用）
W to W稳定性
PZT E/R ≧ 50 nm/min
Uniformity
In wafer ≦ ±5%
W to W ≦ ±1%
PR selectivity ≧ 0.7
Pt selectivity ≧ 8
■非挥发性材料蚀刻（FS-ICP等离子源应用）
NiFe/NiCo蚀刻
E/R 〜100nm/min.
Unif. ≦ ±5%
PR Sel. ≧ 0.6～1.5
No fence, No corrosion
Au蚀刻
E/R ≧400nm/min.
Unif. ≦ ±5%
PR Sel. ≧ ～2.0
No fence
Pt蚀刻
E/R ≧200nm/min.
Unif. ≦ ±5%
HM Sel. ≧ 10
No fence
Pt/SBT/Pt蚀刻
E/R ≧140nm/min.
Unif. ≦ ±5%
0.4um L/S
No fence